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电压探头是示波器测量电路信号的关键附件,其性能直接影响测量精度。根据应用场景和性能特点,主要分为以下几类:
无源探头
衰减系数(1X、10X等):高衰减比可扩展电压测量范围。
补偿范围:需匹配示波器输入电容以避免信号失真。
输入阻抗:低频时由电阻主导(如10MΩ),高频时受输入电容影响显著下降。
结构:纯阻容网络,无需外部供电。
适用场景:低频常规测量(<600MHz)。
关键指标:
有源探头
结构:内置放大器,需外部供电。
优势:高带宽(可达GHz级)、低输入电容(约1pF),减少电路负载效应。
高压差分探头
共模抑制比(CMRR):决定抗干扰能力,低CMRR会导致浮地测量时波形失真(例如测半桥电路驱动信号)。
差分电压范围:支持数百伏高压测量(如半桥电路MOS管DS极间电压)。
延时一致性:多通道测量时需校准通道间延时差(典型值±1ns)。
原理:测量两点间电位差,抑制共模干扰。
核心指标:
共模抑制比(CMRR):决定抗干扰能力,低CMRR会导致浮地测量时波形失真(例如测半桥电路驱动信号)。
差分电压范围:支持数百伏高压测量(如半桥电路MOS管DS极间电压)。
延时一致性:多通道测量时需校准通道间延时差(典型值±1ns)。
功率器件开关损耗测试
电流探头需去磁(DEGAUSS) 和调零,消除直流偏移3。
电流探头(如PKC7050)测IGBT集电极电流,高压差分探头(如PKDV508E)测电压。
同步触发:示波器以电压通道上升沿为触发源,电平略高于栅极阈值。
系统搭建:电流探头(如PKC7050)测IGBT集电极电流,高压差分探头(如PKDV508E)测电压。
校准步骤:电流探头需去磁(DEGAUSS) 和调零,消除直流偏移。
浮地高压测量
差分探头直接测MOS管DS极间电压,避免普通探头接地短路风险。
GS驱动电压测量:需高CMRR探头抑制高共模电压(如480V)导致的基底噪声。
半桥电路测量:
差分探头直接测MOS管DS极间电压,避免普通探头接地短路风险。
GS驱动电压测量:需高CMRR探头抑制高共模电压(如480V)导致的基底噪声。
高频信号保真度验证
操作:短接差分探头输入端测共模电压输出,若残留信号>2Vpp说明CMRR不足。
带宽选择:探头带宽需>被测信号最高频率的3倍(如测100MHz信号选300MHz探头)。
阻抗匹配:高阻电路优先选有源探头,避免电容负载引起谐振。
高压场景:差分探头红/黑表笔需严格隔离,测量点裸露导体间距>探头头部尺寸。